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      漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电（diàn）阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      100

      导（dǎo）通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      125

      最（zuì）大漏极电流Id(on)(A)：

      30

      通道极性：

      N沟道

      封装/温（wēn）度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      600V,125mΩ,30A,N沟（gōu）道基于超级结技术的（de）功率MOSFET


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